內(nèi)存條的作用、類型、插槽介紹

在前面我們給大家講解了許多關(guān)于內(nèi)存方面的知識，今天學無憂小編接著給大家講解電腦內(nèi)存條的作用、類型以及內(nèi)存插槽介紹知識，讓大家對內(nèi)存方面有一個更深的認識。具體電腦內(nèi)存條的作用、類型以及內(nèi)存插槽介紹知識內(nèi)容如下：

內(nèi)存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對計算機的影響非常大。 內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進行運算，當運算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來，內(nèi)存的運行也決定了計算機的穩(wěn)定運行。 內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。

一、DIMM

Dual-Inline-Memory-Modules,即雙列直插式存儲模塊。這是在奔騰CPU推出后出現(xiàn)的新型內(nèi)存條，DIMM提供了64位的數(shù)據(jù)通道，因此它在奔騰主板上可以單條使用。它有168條引腳，故稱為168線內(nèi)存條。它要比SIMM插槽要長一些，并且它也支持新型的168線EDO-DRAM存儲器。就目前而言，適用DIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為3.3V（使用EDORAM內(nèi)存芯片的168線內(nèi)存條除外），適用于SIMM的內(nèi)存芯片的工作電壓一般為5V（使用EDORAM或FBRAM內(nèi)存芯片），二者不能混合使用。
 
二、DDR內(nèi)存

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫，即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。有184針的DDR內(nèi)存（DDR SDRAM）
 
SDRAM 內(nèi)存條
 
芯片和模塊
標準名稱 I/O 總線時脈 周期 內(nèi)存時脈 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率
DDR-200 100 MHz 10 ns 100 MHz 200 Million 并列傳輸 PC-1600 1600 MB/s
DDR-266 133 MHz 7.5 ns 133 MHz 266 Million 并列傳輸 PC-2100 2100 MB/s
DDR-333 166 MHz 6 ns 166 MHz 333 Million 并列傳輸 PC-2700 2700 MB/s
DDR-400 200 MHz 5 ns 200 MHz 400 Million 并列傳輸 PC-3200 3200 MB/s
 
利用下列公式，就可以計算出DDR SDRAM時脈。
 
DDR I/II內(nèi)存運作時脈：實際時脈*2。（由于兩筆資料同時傳輸，200MHz內(nèi)存的時脈會以400MHz運作。）
 
內(nèi)存帶寬=內(nèi)存速度*8 Byte
 
標準公式：內(nèi)存除頻系數(shù)=時脈／200→*速算法：外頻*（除頻頻率／同步頻率）（使用此公式將會導致4%的誤差）
 
三、DDR2內(nèi)存

DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預取）。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。DDR2接口為240pin DIMM結(jié)構(gòu)。金手指每面有120pin，與DDR DIMM一樣金手指上也只有一個卡口。但是卡口的位置與DDR內(nèi)存不同，因此DDR內(nèi)存條是插不進DDR2內(nèi)存條的插槽里面的。因此不用擔心插錯的問題。一款裝有散熱片的DDR2 1G內(nèi)存條
 
DDR內(nèi)存插槽
 
DDR2 能夠在100MHz 的發(fā)信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的帶寬，而且其接口將運行于1.8V 電壓上，從而進一步降低發(fā)熱量，以便提高頻率。此外，DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令，提升內(nèi)存帶寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看，針對PC等市場的DDR2內(nèi)存將擁有400、533、667MHz等不同的時鐘頻率。高端的DDR2內(nèi)存將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II內(nèi)存將采用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2內(nèi)存將采用0.13微米的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存顆粒的電壓為1.8V，容量密度為512MB。
 
各類DDR2內(nèi)存條的技術(shù)參數(shù)
 
標準名稱 I/O 總線時鐘頻率 周期 存儲器時鐘頻率 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模塊名稱 極限傳輸率 位寬
DDR2-400 100 MHz 10ns 200 MHz 400 MT/s 并行傳輸 PC2-3200 3200MB/s 64位
DDR2-533 133 MHz 7.5 ns 266 MHz 533 MT/s 并行傳輸 PC2-4200 PC2-4300 4266 MB/s 64 位
DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MT/s 并行傳輸 PC2-5300 PC2-5400 5333 MB/s 64 位
DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MT/s 并行傳輸 PC2-6400 6400 MB/s 64 位
DDR2-1066 266 MHz 3.75 ns 533 MHz 1066 MT/s 并行傳輸 PC2-8500 PC2-8600 8533 MB/s 64 位
 
現(xiàn)時有售的DDR2-SDRAM已能達到DDR2-1200，但必須在高電壓下運作，以維持其穩(wěn)定性。
 
四、DDR3內(nèi)存條
 
DDR3是一種電腦內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM家族的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍資料率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存）的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時流行的內(nèi)存產(chǎn)品。
 
DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓， 從DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更為省電；DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度，由于目前最為快速的DDR2內(nèi)存速度已經(jīng)提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3內(nèi)存模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個內(nèi)存廠商展出1333Mhz的DDR3模組。
 
A-DATA出品的DDR3內(nèi)存條（DDR SDRAM）
 
各類DDR2內(nèi)存條的技術(shù)參數(shù)
 
標準名稱 I/O 總線時脈 周期 內(nèi)存時脈 數(shù)據(jù)速率 傳輸方式 模組名稱 極限傳輸率 位元寬
DDR3-800 400 MHz 10 ns 400 MHz 800 MT/s 并列傳輸 PC3-6400 6.4 GiB/s 64 位元
DDR3-1066 533 MHz 712 ns 533 MHz 1066 MT/s 并列傳輸 PC3-8500 8.5 GiB/s 64 位元
DDR3-1333 667 MHz 6 ns 667 MHz 1333 MT/s 并列傳輸 PC3-10600 10.6 GiB/s 64 位元
DDR3-1600 667 MHz 5 ns 800 MHz 1600 MT/s 并列傳輸 PC3-12800 12.8 GiB/s 64 位元
DDR3-1866 800 MHz 42/7 933 MHz 1800 MT/s 并列傳輸 PC3-14900 14.4 GiB/s 64 位元
DDR3-2133 1066 MHz 33/4 1066 MHz 2133 MT/s 并列傳輸 PC3-17000  64 位元
 
DDR2和DDR3的區(qū)別

1、突發(fā)長度（Burst Length，BL）：由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

2、尋址時序（Timing）：就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2～5之間，而DDR3則在5～11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

3、DDR3新增的重置（Reset）功能：重置是DDR3新增的一項重要功能，并為此專門準備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態(tài)，以節(jié)約電力。 在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達到最節(jié)省電力的目的。

4、DDR3新增ZQ校準功能：ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）來自動校驗數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應的時鐘周期（在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期）對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

5、參考電壓分成兩個：在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。

6、點對點連接（Point-to-Point，P2P）：這是為了提高系統(tǒng)性能而進行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點對點（P2P）的關(guān)系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關(guān)系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標準DIMM（臺式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（筆記本電腦）、FB-DIMM2（服務器）之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2（高級內(nèi)存緩沖器）。 面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的根據(jù)溫度自動自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移動設備的歡迎，就像最先迎接DDR2內(nèi)存的不是臺式機而是服務器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領(lǐng)域，DDR3未來也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預計同時在K9平臺上支持DDR2及DDR3兩種規(guī)格。

以上就是有關(guān)電腦內(nèi)存條的作用、類型以及內(nèi)存插槽介紹知識的相關(guān)內(nèi)容，希望對你有所幫助！